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長鑫存儲預告推「4F²」新架構引爆存儲股急瀉韓股曾挫逾6% 海力士瀉9%

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Summary

長鑫存儲總裁曹堪宇博士於10月12日在行業活動上宣布，公司在下一代記憶體單元架構取得關鍵突破，命名為「4F²」架構，計劃2026年底前推出基於該架構的DDR5伺服器記憶體產品。消息触发全球存儲晶片股拋售潮，韓國KOSPI指數10月13日急跌5.5%，三星電子及SK海力士分別跌逾7%及10%，為連續第五個交易日下跌。美股方面，費城半導體指數跌2.7%至三周低位，美光科技（MU）跌破1000美元關口收跌約4%，Sandisk亦跌近6% 。美國科企富豪馬斯克同日於X平台發文，形容中國的規模化能力是系統性優勢，強調當中國掌握製造方法時，其規模化速度往往超過世界其他地區的總和。

Key Points

長鑫存儲的「4F²」架構相較現時業界主流的「6F²」佈局，可縮減單一記憶體儲存單元面積，有助在相同晶片面積內容納更多儲存單元，提升晶片容量
首爾綜合指數10月13日早段曾急跌逾6%，SK海力士股價暴跌10%，三星電子亦跌逾7%，並邁向連跌第五個交易日
日本鎧俠（Kioxia）股價更大跌12.6%，日經指數跌1.8%；美光科技（MU）跌破1000美元收市，Sandisk（SNDK）跌近6%
外資加快撤離韓股，10月至今已淨沽出逾60億美元（約470億港元），KOSPI較6月創下的歷史高位累跌逾30%
博通行政總裁日前形容不少AI投資者像賭場賭客，令投資者憂慮加劇，加上AI股早前升幅過急，觸發資金拋售
分析師指出，公布技術架構與實現大規模量產爬坡是兩回事，長鑫目前對標的是普通DDR5而非稀缺的高端HBM記憶體
馬斯克指出，鋰電池及太陽能板正是中國規模化能力超越全球的例證，但更高階的HBM架構及3D堆疊RAM的散熱問題將是更难攻克的技术挑战

Why It Matters

對香港投資者而言，是次全球存儲晶片股同步急跌，反映中國半導體技術正快速追趕傳統龍頭廠商，與三星、SK海力士及美光等企業相關的香港上市科技股或ETF亦可能受波及。韓國股市外资大规模撤离及指數大幅回落至歷史高位三成以下的教訓，正好提醒投資者注意單一行業過度集中的持倉風險，本港科技及半導體相關投資者需密切關注長鑫等中國廠商的技術產業化進展。