中國科研突破：記憶晶片耐用度提升百倍
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Summary
中國科研人員在半導體記憶體技術領域取得重大突破，成功開發出一種方法大幅提升新興鐵電記憶體晶片的耐用程度。來自西安電子科技大學的研究團隊與香港城市大學及復旦大學合作，證明其開發的鋁鈧氮（AlScN）鋅鐵礦結構鐵電材料可承受逾百億次寫入循環，較同一材料類別此前創下的紀錄高出約一百倍。是項研究成果已於上周四（九月十日）在國際權威期刊《Science》發表，解決了困擾學界已久的關鍵可靠性問題，為下一代記憶體技術在人工智能系統及高效能運算領域的商業應用掃除障礙。
Key Points
- 研究由西安電子科技大學主導，聯同香港城市大學及復旦大學共同完成，成果於上周四在《Science》期刊發表
- 研究團隊在鋁鈧氮鋅鐵礦結構鐵電材料上實現逾百億次寫入循環，較此前約一億次的極限大幅提升約一百倍
- 此前材料在重複電切換後因氮空位累積而迅速老化，新技術成功克服了這一關鍵缺陷
- 鋁鈧氮材料具備快速切換速度、低能耗特點，且與現有半導體製程相容，有利於直接整合至未來記憶體元件
- 西安電子科技大學的王瑞青以整齊播種的玉米田比喻解釋原理，氮空位就像缺株的位置
Why It Matters
在半導體技術成為中美科技競爭核心之際，是項突破有望加快鐵電隨機存取記憶體（FeRAM）的商業化進程，為數據中心及人工智能硬體提供更高效的記憶體解決方案。香港城市大學的參與為本地科研界帶來契機，有助香港在半導體研發範疇建立更具策略性的地位，迎接全球對先進記憶體技術日益殷切的需求 。
在半導體技術成為中美科技競爭核心之際，是項突破有望加快鐵電隨機存取記憶體（FeRAM）的商業化進程，為數據中心及人工智能硬體提供更高效的記憶體解決方案。香港城市大學的參與為本地科研界帶來契機，有助香港在半導體研發範疇建立更具策略性的地位，迎接全球對先進記憶體技術日益殷切的需求 。