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长鑫存储预告推「4F²」新架构 引爆存储股急跌 韩股曾挫逾6% 海力士泻9%

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长鑫存储预告推「4F²」新架构 引爆存储股急跌 韩股曾挫逾6% 海力士泻9%

Summary

长鑫存储总裁曹堪宇博士于10月12日在行业活动上宣布,公司在下一代存储器单元架构取得关键突破,命名为「4F²」架构,计划2026年底前推出基于该架构的DDR5服务器存储器产品 。消息触发全球存储芯片股抛售潮,韩国KOSPI指数10月13日急跌5.5%,三星电子及SK海力士分别跌逾7%及10%,为连续第五个交易日下跌 。美股方面,费城半导体指数跌2.7%至三周低位,美光科技(MU)跌破1000美元关口收跌约4%,Sandisk亦跌近6% 。美国科企富豪马斯克同日于X平台发文,形容中国的规模化能力是系统性优势,强调当中国掌握制造方法时,其规模化速度往往超过世界其他地区的总和 。

Key Points

  • 长鑫存储的「4F²」架构相较业界现时主流的「6F²」布局,可缩减单一存储器存储单元面积,有助在相同芯片面积内容纳更多存储单元,提升芯片容量
  • 首尔综合指数10月13日早段曾急跌逾6%,SK海力士股价暴跌10%,三星电子亦跌逾7%,并迈向连跌第五个交易日
  • 日本铠侠(Kioxia)股价更大跌12.6%,日经指数跌1.8%;美光科技(MU)跌破1000美元收市,Sandisk(SNDK)跌近6%
  • 外资加快撤离韩股,10月至今已净卖出逾60亿美元(约470亿港元),KOSPI较6月创下的历史高位累跌逾30%
  • 博通行政总裁日前形容不少AI投资者像赌场赌客,令投资者忧虑加剧,加上AI股早前升幅过急,引发资金抛售
  • 分析师指出,公布技术架构与实现大规模量产爬坡是两回事,长鑫目前对标的是普通DDR5而非稀缺的高端HBM存储器
  • 马斯克指出,锂电池及太阳能板正是中国规模化能力超越全球的例证,但更高阶的HBM架构及3D堆叠RAM的散热问题将是更难攻克的技术挑战

Why It Matters

对香港投资者而言,本次全球存储芯片股同步急跌,反映中国半导体技术正快速追赶传统龙头厂商,与三星、SK海力士及美光等企业相关的香港上市科技股或ETF亦可能受波及 。韩国股市外资大规模撤离及指数大幅回落至历史高位三成以下的教训,正好提醒投资者注意单一行业过度集中的持仓风险,本港科技及半导体相关投资者需密切关注长鑫等中国厂商的技术产业化进展 。
对香港投资者而言,本次全球存储芯片股同步急跌,反映中国半导体技术正快速追赶传统龙头厂商,与三星、SK海力士及美光等企业相关的香港上市科技股或ETF亦可能受波及 。韩国股市外资大规模撤离及指数大幅回落至历史高位三成以下的教训,正好提醒投资者注意单一行业过度集中的持仓风险,本港科技及半导体相关投资者需密切关注长鑫等中国厂商的技术产业化进展 。

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